Диод Шоттки SD11801

мостовойвысокого напряженияс большой скоростью переключения

■ 200°C Эксплуатация ■ Высокое блокирующее напряжение при низком RDS(on)Герметичные корпуса Диоды Шоттки Solitron из карбида кремния (SiC) имеют диапазон напряжений от 650 до 1700 В и включают одиночные, двойные и мостовые конфигурации. Они выпускаются в самых разных корпусах, включая герметичные, и обеспечивают разработчикам высокую эффективность и максимальную надежность технологии. Общий емкостной заряд (Qc) мал, что снижает потери на переключение и обеспечивает высокую скорость переключения. Кроме того, в отличие от диодов с быстрым восстановлением на основе кремния, у которых trr увеличивается с ростом температуры, диоды из карбида кремния (SiC) сохраняют постоянные характеристики, что приводит к улучшению характеристик. Герметичные корпуса TO-258, работающие при температуре 200°C, делают эти SiC-диоды на напряжение 650-1700 В идеальными для источников питания, систем управления двигателями и приложений, требующих минимальных размеров, малого веса и высокого уровня эффективности. Доступны экранировка COTS, TX, TXV и S-уровни. Индивидуальные конфигурации и упаковка, включая силовые модули, доступны по запросу. Дополнительную информацию см. в серии PowerMOD компании Solitron.